光刻胶，又称为光阻剂或光刻材料，是半导体制造过程中使用的一种关键材料。它在光刻技术中扮演着至关重要的角色，用于在半导体晶圆上形成微细的图案和结构。

一、光刻主要由曝光、显影、刻蚀等主要步骤组成。为了增强图案传递的精确性和可靠性，整个过程还包括涂胶、去水烘烤（Dehydration)、涂底（Priming)、软烤（Soft Bake)、硬烤(Hard Bake)等步骤。

二、光刻胶是一种对光敏感的聚合物，受到光辐照之后发生光化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影液中光刻胶感光部分与未感光部分的熔解速度相差非常大。由三种成分组成：感光剂  （Sensitizer)，树脂(Resin)，溶剂(Solvent)，根据对光作用后产生的不同化学反应，把光刻胶分成两类：正胶、负胶。

四、光刻胶发展趋势: 

1、高分辨率高分辨率:

      目标：实现更精细的图案。

      技术：引入更短波长的光源（如极紫外光）和新型光刻胶材料。

2. 低缺陷率: 目标：减少制造过程中的缺陷。

         技术：优化光刻胶配方和制备工艺。

3. 多功能性

      目标：提高光刻胶的多功能性，适应更多应用场景。

      技术：开发具有特殊性能的添加剂和新型树脂。